型名 社名 用途 構造 最大定格 Max. Ratings (Ta=25ﾟC) 電気的特性 Elec. Character. (Ta=25ﾟC) 外形 備考
Mnf. App. Type VCBO VEBO Ic Pc Tj 直流又はパルスhFE fab/ft* Cob Pac. Dim. No.
(V) (V) (mA) (mW) (ﾟC) VCE(V) Ic(mA) (MHz) (pF)
2SC1901 富士通 RF Si.EP 25 3 20 200 175 150 8 5 1400* 1.2 84C
2SC1902 富士通 RF Si.EP 40 3 300 500 175 80 14 55 650* 2.8 84C
2SC1903 富士通 AF.RF Si.EP 150 5 50 1W 150 150 5 10 130* 2 328
2SC1904 富士通 AF.RF Si.EP 150 5 50 1W 150 150 5 10 130* 2 328
2SC1905 松下 PA Si.TP 350 7 200 15W(Tc=25ﾟC) 150 100 10 50 45* 7.5 268
2SC1906 日立 RF.Conv. Si.EP 30 2 50 300 150 >40 10 10 1000* 1 138
2SC1907 日立 Osc.RF Si.EP 30 2 50 300 150 >40 10 10 1100* 1 138
2SC1908 ソニー RF Si.E 30 4 30 500 120 80 6 1 200* 2 138 2SA925とコンプリ
2SC1909 日電 PA Si.E 75 4 3A 10W(Tc=25ﾟC) 150 60 10 500 160* 50 268
2SC1910 東芝 Diff Si.EP 15 2 80 200/unit 175 75 3 50 7000* 1.1 282A
hFE1/hFE2
-0.2
2SC1911 東芝 Diff Si.EP 20 2 30 150/unit 175 80 5 10 6500* 0.66 282A
hFE1/hFE2
-0.2
2SC1912 東芝 Diff Si.EP 20 2 30 150/unit 175 80 5 10 6500* 0.66 282B
hFE1/hFE2
-0.2
2SC1913 松下 RF Si.EP 150 5 1A 15W(Tc=25ﾟC) 150 150 10 150 120* 20 268 2SA913とコンプリ
2SC1913A 松下 PA Si.E 180 5 1A 15W(Tc=25ﾟC) 150 65-330 10 150 120* <30 268 2SA913Aとコンプリ
2SC1914 三菱 AF.RF Si.EP 90 5 50 200 125 250-1200 6 1 150* 1.8 138B
2SC1914A 三菱 AF.RF Si.EP 120 5 50 200 125 250-800 6 1 150* 1.8 138B
2SC1915 三菱 AF.RF Si.EP 120 5 50 800 135 150-800 10 10 200* 2.3 242 2SA905とコンプリ
2SC1916 三菱 RF.AF.LN Si.EP 50 5 100 200 125 500 6 1 150* 2.5 138
2SC1917 三菱 RF.AF.LN Si.EP 35 5 100 200 125 500 6 1 150* 2.5 138
2SC1918 三菱 RF.AF Si.EP 35 5 100 200 125 500 6 1 150* 2.5 138
2SC1919 三菱 LN Si.EP 50 5 30 200 125 250-1200 6 1 150* 1.9 138B
2SC1920 東芝 Diff Si.EP 15 2 80 200/unit 175 75 3 30 7000* 1.1 282B
hFE1/hFE2
-0.2
2SC1921 日立 RF Si.T 250 5 50 600 150 30-300 6 10 130* 3 251
2SC1922 日立 SW Si.T 1500 6 2.5A 50W(Tc=25ﾟC) 150 5* 90 102 水平偏向用
2SC1923 東芝 RF.Conv. Si.EP 40 4 20 100 125 40-200 6 1 550* Cre 0.7 138
Mix.Osc
2SC1924 日電 DifF.SW Si.E 20 3 50 300 200 30-300 5 10 3000* Cre 1.1 309B 2素子複合
2SC1925 日電 DifF.SW Si.E 20 3 50 300 200 30-300 5 10 3000* Cre 1.1 309A 2素子複合
2SC1926 日電 DifF.SW Si.E 30 3 50 200/unit 200 80 10 10 2000* Cre 1.1 309B 2素子複合
2SC1927 日電 DifF.SW Si.E 30 3 50 300 200 80 10 10 2000* Cre 1.1 309A 2素子複合
2SC1928 ソニー RF Si.E 50 25 50 315 120 400 3 1 35* 4 38
2SC1929 松下 PA Si.P 300 6 400 25W(Tc=25ﾟC) 150 150 5 100 80* 12 268
2SC1930 富士通 RF Si.EP 16 3 30 150 175 80 3 10 8000* 0.3 284
2SC1930A 富士通 RF Si.EP 16 3 30 150 175 80 3 10 8000* 0.35 284
2SC1931 富士通 Diff Si.EP 16 3 30 150/unit 175 80 3 10 8000* 0.45 263
hFE1/hFE2
-0.4
2SC1932 富士通 Diff Si.EP 16 3 30 200/unit 175 80 3 10 8000* 0.45 264A
hFE1/hFE2
-0.4
2SC1933 富士通 Diff Si.EP 15 3 40 200/unit 175 80 3 10 6000* 0.65 263
hFE1/hFE2
-0.4
2SC1934 富士通 Diff Si.EP 20 3 80 500/unit 175 80 5 30 6000* 0.9 285
hFE1/hFE2
-0.4
2SC1935 富士通 RF Si.EP 15 3 30 250 175 80 6 10 6000* 0.4 284
2SC1936 富士通 Diff Si.EP 15 3 30 200/unit 175 80 6 10 6000* 0.6 263
hFE1/hFE2
-0.4
2SC1937 富士通 RF Si.EP 15 3 70 300 175 80 6 40 6000* 0.7 284
2SC1938 富士通 Diff Si.EP 15 3 30 200/unit 175 80 6 10 6000* 0.6 264B
hFE1/hFE2
-0.4
2SC1939 富士通 Diff Si.EP 15 3 30 200/unit 175 80 6 10 6000* 0.6 264A
hFE1/hFE2
-0.4
2SC1940 日電 PA Si.E 120 5 50 1W 150 200 10 10 120* 2.3 278 2SA915とコンプリ
2SC1941 日電 PA Si.E 160 5 50 1W 150 200 10 10 120* 2.3 278 2SA916とコンプリ
2SC1942 日立 SW Si.T 1500 6 3A 50W(Tc=25ﾟC) 150 5* 90 102 水平偏向用
2SC1943 三菱 PA Si.EP 35 4 400 3W(Tc=25ﾟC) 175 50 10 100 255
2SC1944 三菱 PA Si.EP 80 5 6A 20W(Tc=25ﾟC) 150 50 10 100 301B
2SC1945 三菱 PA Si.EP 80 5 6A 20W(Tc=25ﾟC) 150 50 10 100 301A
2SC1946 三菱 PA Si.EP 35 4 7A 50W(Tc=25ﾟC) 175 50 10 200 272
2SC1946A 三菱 RF.PA Si.EP 35 4 7A 50W(Tc=25ﾟC) 175 50 10 200 272
2SC1947 三菱 PA Si.EP 35 4 1A 10W(Tc=25ﾟC) 175 50 10 100 84B エミッタ ケース接続
2SC1948 日電 RF.LN Si.E 15 3 20 150 200 80 8 10 8000* Cre 0.3 339
2SC1949 日電 RF.LN Si.E 30 3 130 580 200 100 5 50 2700* Cre 1 306
2SC1950 日電 RF.PA Si.E 28 3 200 5W(Tc=25ﾟC) 200 40 6 100 4000* Cre 1.5 311
2SC1951 ソニー RF Si.E 120 5 100 750 120 150 5 3 2.4 259 2SA917とコンプリ
2SC1952 日電 RF.LN Si.E 45 3 300 800 200 80 10 50 2000* 2 84B
2SC1953 松下 AF.PA Si.EP 150 5 100 1W 150 65-450 5 10 >70* <3 222 2SA914とコンプリ
2SC1954 富士通 RF Si.EP 25 3 150 450 150 100 10 25 1500* 2 138
2SC1955 東芝 PA Si.EP 35 3.5 800 7.5W(Tc=25ﾟC) 175 >10 5 500 <15 84B
2SC1956 東芝 PA Si.EP 35 3.5 3.5A 35W(Tc=25ﾟC) 175 50 5 1A 135
2SC1957 日電 PA Si.E 75 4 1A 750 150 90 10 500 250* 14 225
2SC1959 東芝 AF.SW Si.E 35 5 500 500 150 70-240 1 100 300* 7 138 2SA562とコンプリ
2SC1960 富士通 SW Si.EP 20 4 200 uJ0 150 60 1 10 275
2SC1961 ソニー RF Si.E 35 3 25 300 100 100 10 4 1.2 138C
2SC1962 ソニー PA Si.EPa 200 8 500 1950 120 70-350 2 100 45* 12 174
2SC1963 ソニー RF Si.PaMe 25 6 200 270 120 300 6 2 140* 4.5 277 2素子複合
2SC1964 三菱 PA Si.EP 80 4 3.5A 12.5W(Tc=25ﾟC) 150 50 10 100 301B
2SC1965 三菱 PA Si.EP 35 4 1A 15W(Tc=25ﾟC) 175 50 10 100 97B エミッタケース接続
2SC1965A 三菱 PA Si.E 40 4 2A 15W(Tc=25ﾟC) 175 50 10 100 97B エミッタ･ケ-ス接続
2SC1966 三菱 PA Si.EP 35 3.5 1A 10W(Tc=25ﾟC) 175 50 10 100 272
2SC1967 三菱 PA Si.EP 35 4 2A 20W(Tc=25ﾟC) 175 50 10 100 272
2SC1968 三菱 PA Si.EP 35 4 5A 40W(Tc=25ﾟC) 175 50 10 100 272
2SC1968A 三菱 PA Si.EP 35 4 5A 40W(Tc=25ﾟC) 175 50 10 100 272
2SC1969 三菱 PA Si.EP 60 5 6A 20W(Tc=25ﾟC) 150 50 12 10 301B
2SC1970 三菱 PA Si.EP 40 4 600 5W(Tc=25ﾟC) 150 50 10 100 301B
2SC1971 三菱 PA Si.EP 35 4 2A 12.5W(Tc=25ﾟC) 150 50 10 100 301A
2SC1972 三菱 PA Si.EP 35 4 3.5A 25W(Tc=25ﾟC) 150 50 10 100 301A
2SC1973 松下 RF.PA Si.EP 55 4 500 1W 150 20-200 5 100 >300* 6 165
2SC1974 松下 PA Si.EP 80 4 2A 15W(Tc=25ﾟC) 150 60 5 1A 150* 40 268
2SC1975 松下 PA Si.EP 120 5 2A 15W(Tc=25ﾟC) 150 100 5 1A 150* 40 268
2SC1976 松下 RF.PA Si.EP 36 4 ICM 500 750 135 70 13.5 100 700* 6 165
2SC1977 松下 RF.PA Si.EP 36 4 ICM 1A 5W(Tc=25ﾟC) 150 50 13.5 100 600* 10 222
2SC1978 松下 RF.PA Si.EP 36 4 ICM 1.5A 15W(Tc=25ﾟC) 150 80 13.5 400 600* 25 268A
2SC1980 松下 LN Si.EP 120 5 50 150 125 260-1040 5 2 138 2SA921とコンプリ
2SC1981 ソニー AF.SW Si.E 50 30 100 300 120 500-2000 3 1 30* 4 49C
2SC1982 ソニー RF Si.PaMe 140 6 1A 625 150 120 2 100 120* 6.5 181
2SC1983 サンケン PA Si.TMe 80 6 3A 30W(Tc=25ﾟC) 150 700 4 1A 15* 37 298
2SC1984 サンケン PA Si.TMe 100 6 3A 30W(Tc=25ﾟC) 150 700 4 1A 15* 37 298
2SC1985 サンケン PA Si.TMe 80 6 6A 40W(Tc=25ﾟC) 150 100 4 1A 10* 80 298 2SA770とコンプリ
2SC1986 サンケン PA Si.TMe 100 6 6A 40W(Tc=25ﾟC) 150 100 4 1A 10* 80 298 2SA771とコンプリ
2SC1987 日立 PA Si.T 300 10 6A 50W(Tc=25ﾟC) 150 50 5 5A 12* 117 153
2SC1988 日電 RF Si.E 25 3 70 350 200 70 10 20 4500* Cre 0.6 50C
2SC1989 松下 RF Si.EP 30 3 30 150 125 100 10 1 300* 1.2 138
2SC1990 松下 RF Si.EP 30 3 15 150 125 100 6 1 650* 1 138
2SC1991 日電 RF Si.E 60 5 100 625 150 170 10 2 250* 1.5 138D
2SC1992 日電 RF.AF Si.E 50 6 100 300 150 235 5 2 300* 3 138F
2SC1993 日電 RF.AF Si.E 30 5 100 300 150 290 5 2 300* 3 138F
2SC1994 日電 RF.AF.LN Si.E 45 5 100 300 150 380 5 2 300* 3 138F
2SC1995 日電 RF.AF.LN Si.E 50 5 100 300 150 380 5 2 300* 3 138F
2SC1996 日電 RF Si.E 50 5 800 625 150 200 1 100 100* 11 138F
2SC1997 日電 RF Si.E 30 5 800 625 150 200 1 100 100* 11 138F
2SC1998 日電 RF.AF Si.E 80 6 100 500 150 140 5 2 300* 3.7 138
2SC1999 日電 RF.AF Si.E 50 6 100 500 150 140 5 2 300* 3.7 138
2SC2000 日電 RF Si.E 60 5 200 600 150 90 6 1 70* 3.7 138